特色

● 

● 

● 

新的电子和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)

用改良的高真空性能和无与伦比的电子束稳定性来实现率截面观察。

采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。