硅碳棒一般是串、并联接线结合使用。
建议采用2根串联为一组后多组并联。
特别当炉内温度超过1350℃时必须并联。
三相接线时建议使用开放三角形接线。
实践证明：负荷密度大则发热体表面温度与炉膛温度之差也大。
负荷密度大则棒体表面温度高，电阻增长快， 元件的寿命短。
因此，硅碳棒表面温度负荷，密度，炉内气氛，温度与元件老化速度成正比，与元件的寿命成反比。
碳化硅元件在连续式窑炉与间歇式窑炉中，前者的寿命较长。
这是因为元件在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，长时间使用使二氧化硅皮膜增加，阻值也随之增加。
二氧化硅薄膜在结晶临界点（270℃）附近发生异常膨胀、收缩。
因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动，所以反复破二氧化硅薄膜，加速氧化。
因此炉温经常降至室温时会急剧增加电阻，导致元件使用寿命缩短。