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AOD403MOS管P沟道场效应管-30V/-80ATO252
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联系人 张先生
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发货地 广东省深圳市
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商品参数
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商品介绍
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联系方式
产品特性 大功率
品牌 VBsemi（台湾微碧）
型号 AOD403
封装 TO252
批号 20+
FET类型 增强型
漏源电压（Vdss） -30V
漏极电流(Id) -80A
漏源导通电阻(RDS On) 9mΩ@-10V
栅源电压(Vgs) ±20V
栅极电荷(Qg) 160
反向恢复时间 /
最大耗散功率 187mW
配置类型 P沟道
工作温度范围 /
安装类型 /
应用领域 Array
商品介绍
技术参数
| 品牌： | VBsemi台湾微碧 |
| 型号： | AOD403 |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | TO252 |
| 沟道类型： | P沟道 |
| 漏源电压（Vdss）： | -30V |
| 漏极电流（Id）： | -80A |
| 漏源导通电阻（RDS On）： | 9mΩ@-10V |
| 栅源电压（Vgs）： | ±20V |
| 耗散功率（W）： | 187 |
品牌介绍
规格书
用途/应用领域
3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、军工/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居
联系方式
公司名称 深圳市微碧半导体有限公司
联系卖家 张先生 
（QQ：3003525560）
（QQ：3003525560） 电话 祳祹祹-祻祴祴祵祲祵祵
手机 祺祵祺祻祴祲祹祵祹祵祴
地址 广东省深圳市
张先生
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