PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 

 概述 PT6303S 是一款专为保护 3 串锂离子/聚合物电池的电 池保护芯片，可降低因电池过充，过放和/或过流条件而导 致的电池损坏或寿命缩短的风险。 小型的 SOP-8 封装和最少的外部元件需求使芯片易于 整合至空间有限的电池包里。 ±25mV 的过充电检测电压精度保证电池安全的全容量 充电。±10mV 的电流检测电压精度保证放电过流准确触 发。 PT6303S 的低功耗设计让电池包在存储阶段只消耗微 不足道的电流。 

应用  电动工具  吸尘器等家用设备  移动电源等储能设备 特点  内置高精度电压检测电路：  过充电检测电压： VCOV = 4.2V to 4.375V；25mV/step 精度：±25mV  过充电滞后电压： VCOVR = VCOV - VΔCOV (0~300mV, 100mV/step) 精度：±25mV  过放电检测电压： VCUV=2.3V to 2.9V；0.2V/step 精度：±50mV  过放电滞后电压： VCUVR = VCUV + VΔCUV (0.3V~0.9V, 0.2V/step) 精度：±80mV  内置三段放电过电流检测电路：  过电流 1 检测电压： VPDOC1= 50mV / 75mV / 100mV / 150mV 精度：±10mV  过电流 2 检测电压： VPDOC2= 2* VPDOC1  精度：±20mV  负载短路检测电压： VPSC=4* VPDOC1 精度：±50mV  低消耗电流：  工作状态时：<20μa  休眠状态时：<3μa  封装：SOP-8PT6303S (SOP-8) VCC B3B2B1 CDR DDR LM VSS 300R 2.2uF 47~220nF 47~220nF 47~220nF 2K2K2K 47nF M D 10M 1K M C 1.2M 1K 1K PCK+ PCK- 1N4148 S D103 PT6303S (SOP-8) VCC B3B2B1 CDR DDR LM VSS 300R 2.2uF 47~220nF 47~220nF 47~220nF 2K2K2K 47nF M D 10M 1K 1K1K PCK+ PCKCHG- 1N4148 S D103 MC S S34 100K 1M 1M CHG+ xxxxxX Assembly Factory Code Lot Number PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 

PT6303S_DS_Rev CH1.0 订购信息 封装 温度范围 订购型号 包装打印 产品打印 SOP-8 -40℃~85℃ PT6303SESOH-YY Tape and Reel  4000 units PT6303S YY xxxxxX Note1: YY 对应表 1 中的参数选项 Note2: 料号 过压保护 阈值 [VCOV] 过压保护 迟滞 [△VCOV] 欠压保护 阈值 [VCUV] 欠压保护 迟滞 [△VCUV] 一级放电 过流阈值 [VPDOC1] 二级放电 过流延迟 [TPDOC2] 放电过温 保护阈值 [tDOT] 充电过温 保护阈值 [tCOT] PT6303SESOH-AC 4.225 V 200mV 2.70 V 0.3 V 100 mV 100mS 70° C 50° C 表.1 可订购料号的参数选项 Note3: 其他参数选项的产品型号需求请联系销售。 典型应用电路 图 1. PT6303S 典型应用电路 图 2. PT6303S 充电 PMOS 的典型应用电路PT6303S 123 876 CDR DDR VCC B1 VSS LM SOP-8 4 5 B3B2 PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 华润矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 3 页 PT6303S_DS_Rev CH1.0 管脚定义图 图 3. 管脚定义图 管脚描述 引脚号码 引脚名称 引脚功能描述 1 VCC 芯片供电引脚 2 B3 第三节电芯正极输入端 3 B2 第三节电芯负极输入端，第二节电芯正极输入端 4 B1 第二节电芯负极输入端，第一节电芯正极输入端 5 VSS 第一节电芯负极输入端 6 LM 电流检测电压输入、负载检测和充电器检测引脚 7 DDR 放电 MOSFET 驱动输出引脚 8 CDR 充电 MOSFET 驱动输出引脚PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 华润矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 4 页 PT6303S_DS_Rev CH1.0 极限参数(注 1) (无特别说明，Ta=25°C) SYMBOL ITEM Value UNIT Min. Typ. Max. VCC VCC pin voltage VSS-0.3 VSS+25 V VLM LM pin voltage VSS – 0.3 VCC + 0.3 V VCDR CDR pin voltage VCC - 25 VCC + 0.3 V VDDR DDR pin voltage VSS - 0.3 VCC + 0.3 V VB1-3 B1, B2, B3 pin voltage VSS-0.3 VCC+0.3 V VCEL2, VCEL3 VB2-VB1 , VB3-VB2 voltage -5 VCC-VSS V PD Power dissipation 0.15 W TSTG Storage temperature -55 125 ℃ 注 1：极限值是指超出该工作范围 推荐工作范围 SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Min. Typ. Max. VCC Supply Voltage 3.2 15 V VCEL1-3 Cell1, Cell2, Cell3 input voltage 2.0 4.5 V TOPT Operating temperature -40 85 ℃PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 华润矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 5 页 PT6303S_DS_Rev CH1.0 电气参数 (无特别说明，Ta=25°C，VCELL=3.6V) 符号 参数 条件 最小 典型  单位 VCC 工作电压 VCC-GND 3.2 15 V VPOR 启动电压 VCC上升沿 3.4 3.8 4.2 V △VPOR 关断迟滞电压 VCC下降沿，VPOR-DW= VPOR-△VPOR 0.2 V IDD 工作电流 无保护事件，CDR悬空 15 µ A ISTBY 待机电流 过放，无充电器 2.5 µ A IB(n),n=1,3 B1, B2, B3 引脚流入电流 0 µ A 电池电压检测参数 TSCN 电池电压检测周期 0.35 0.5 0.65 S VCOV 电芯过充电压阈值(NOTE2)： 4.2~4.375可选，25mV/step 检测电池电压上升，无保护事件 VCOV -25 VCOV VCOV +25 mV VCOVR 电芯过充恢复电压： VCOVR =VCOV-VΔCOV， VΔCOV: 0~300mV，100mV/step 触发COV事件后检测电池电压下降 VCOVR -25 VCOVR VCOVR +25 mV TCOV 电芯过充延迟 任何电芯电压满足VCELL> VCOV 2*TSCN TCOVR 电芯过充恢复延迟 所有电芯电压满足VCELLCOVR 2*TSCN VCUV 电芯过放电压阈值： 2.3V~2.9V selectable，0.2V/step 检测电池电压下降，无保护事件 VCUV -50 VCUV VCUV +50 mV VCUVR 电芯过放恢复电压： VCUVR = VCUV+ VΔCUV， VΔCUV: 0.3V~0.9V 触发CUV事件后检测电池电压上升 VCUVR -80 VCUVR VCUVR +80 mV TCUV 电芯过放延迟 任何电芯电压满足 VCELLCUV ( TCUV= TCOV) 2*TSCN TCUVR 电芯过放恢复延迟 所 有 电 芯 电 压 满 足 VCELL> VCUVR  ( TCUVR= TCOVR) 2*TSCN 电流检测参数 VPDOC1 过流1检测阈值： 50mV，75mV，100mV，150mV可选 检测LM引脚电压上升 VPDOC1 -10 VPDOC1 VPDOC1 +10 mV TPDOC1 过流1触发延迟 0.7 1.0 1.3 S VPDOC2 过流2检测阈值： VPDOC2=2* VPDOC1 检测LM引脚电压上升 VPDOC2 -20 VPDOC2 VPDOC2 +20 mV TPDOC2 过流2触发延迟： 100mS，200mS，300mS，400mS可选 0.7  *TPDOC2 TPDOC2 1.3  *TPDOC2 mS VPSC 短路检测阈值： VPSC=4* VPDOC1 检测LM引脚电压上升 VPSC -50 VPSC VPSC +50 mV TPSC 短路触发延迟 200 250 300 μS 驱动参数 ICDR 充电MOSFET驱动电流 充电MOSFET打开 6 μA 充电MOSFET关闭 0 μA VDDR 放电MOSFET驱动电流 放电MOSFET打开 VCC 放电MOSFET关闭 VSS IDDRH 放电MOSFET驱动电流能力 VDDR=VCC-3V 3 mA IDDRL 放电MOSFET吸收电流能力 VDDR=VSS+ 3V 5 mA 负载检测参数 ILM LM引脚吸收电流能力 VLM=5V 70 μAOV Detection UV Detection Delay-Time Control Charge/Dis-Charge  Control PDOC1 detection Cell Selection  Control B3B2B1 VCC VSS LM UV OV Control PDOC1 LD-Open/ CHGIN Load or  Charger monitoring Control PDOC2 detection PSC detection PDOC2 PSC DFET Driver CFET Driver CDR DDR PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 华润矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 6 页 PT6303S_DS_Rev CH1.0 简化模块图 图 4. 内部模块简化图 功能描述 1. 上电过程 当电源接入，VCC 上升，当 VCCPOR，充放电 MOSFET 默认关闭。当 VCC≥VPOR，PT6303S 启动并检测 电池电压。如果没有 COV 事件，充电 MOSFET 打开。如 果没有 CUV 事件，且负载断开或者充电器插入，放电 MOSFET 打开，PT6303S 进入正常工作状态。 2. 放电过电流保护 PT6303S 有三段放电过电流保护功能。 PDOC1：当 VLM≥VPDOC1 且延迟时间 TD≥TPDOC1， PDOC1 触发，放电 MOSFET 关闭。 PDOC2：当 VLM≥VPDOC2 且延迟时间 TD≥TPDOC2， PDOC2 触发，放电 MOSFET 关闭。 PSC：当 VLM≥VPSC且延迟时间 TD≥TPSC，PSC 触发， 放电 MOSFET 关闭 PDOC1，PDOC2 和 PSC 只有在负载移除时才会解 除。 3. 过充电保护 PT6303S 周期性检测电芯电压，一旦任何一节电池电 压连续两次超过 VCOV，PT6303S 进入过充电保护状态 (COV)，充电 MOSFET 关闭。在 COV 状态，PT6303S 一 旦检测到放电电流，充电 MOSFET 打开。 如果芯片检测到每节电池的电压连续两次低于 VCOVR， PT6303S 退出过充电状态，打开充电 MOSFET。 4. 过放电保护 PT6303S 一旦检测到任何一节电池电压连续两次低于 VCUV，PT6303S 就进入过放电保护状态 (CUV)，放电 MOSFET 关闭，同时打开充电器检测功能。 如果没有其他保护事件，且超过 8s 无充电器插入， PT6303S 进入待机状态，芯片功耗降低至 3μA 以下。一旦 检测到充电器插入，芯片退出待机状态。 如 果 芯片检测到 每节电池的电压 连 续 两 次 高 于 VCUVR，PT6303S 退出过放电状态。如果芯片检测到负载 移除，且无其他放电保护事件，则打开放电 MOSFET。。 5. 关断状态 一旦 VCC 的电压降低至 VPOR-DW 以下，芯片进入关断 模式，充放电 MOSFETs 全部关闭，芯片功耗降低至 1μA 以下。 VLMTH 负载开路检测阈值 0.75 VPT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 华润矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 7 页 PT6303S_DS_Rev CH1.0 参数选项表 项目 参数 单位 选项 1 VCOV (过压保护阈值) V 4.200 4.225 4.250 4.275 4.300 4.325 4.350 4.375 选择的参数填入 X  2 ΔVCOVR (过压保护迟滞) mV 0 100 200 300 选择的参数填入 X  3 VCUV (欠压保护阈值) V 2.3 2.5 2.7 2.9 选择的参数填入 X  4 VCUVR (欠压保护迟滞) mV 0.3 0.5 0.7 0.9 选择的参数填入 X  5 VPDOC1 (一级放电过流保护阈值) mV 50 75 100 150 选择的参数填入 X 6 TPDOC2 (二级放电过流保护延迟) mS 100 200 300 400 选择的参数填入 X PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 华润矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 8 页 PT6303S_DS_Rev CH1.0 封装信息 SOP-8 Symbol Millimeters Inches Min Max Min Max A 1.350 1.750 0.053 0.069  A1 0.100 0.250 0.004 0.010  A2 1.250 1.650 0.049 0.065  b 0.330 0.510 0.013 0.020  c 0.170 0.250 0.007 0.010  D 4.700 5.100 0.185 0.201  E 3.800 4.000 0.150 0.157  E1 5.800 6.200 0.228 0.244  e 1.270(BSC) 0.050(BSC) L 0.400 1.270 0.016 0.05 θ 0° 8° 0° 8°PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片