IXYS艾赛斯 N沟道场效应管 IXFH80N65X2 80A650V 三极管 TO-247
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IXYS艾赛斯 N沟道场效应管 IXFH80N65X2 80A650V 三极管 TO-247
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IXYS艾赛斯-N沟道场效应管-IXFH80N65X2-80A650V

价格

订货量(PCS)

¥35.00

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发货地 广东省深圳市
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商品参数
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商品介绍
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联系方式
品牌 IXYS
封装 TO-247
型号 IXFH80N65X2
批号 19+
沟道类型 N沟道
种类 -
封装外形 TO-247
用途 -
材料 -
数量 9000
商品介绍

IXFH80N65X2 IXYS N沟道场效应管 80A 650V

制造商
IXYS艾赛斯
系列
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
40 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
143 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8245 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
890W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247(IXTH)
封装/外壳
TO-247-3

联系方式
公司名称 深圳市兴科泰科技有限公司
联系卖家 曾丹 (QQ:305034673)
电话 䀍䀓䀔䀔-䀒䀐䀍䀐䀔䀐䀌䀍
手机 䀋䀐䀌䀐䀑䀏䀋䀌䀑䀍䀓
传真 䀍䀓䀔䀔-䀒䀐䀍䀐䀔䀐䀌䀋
地址 广东省深圳市
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