MOSFET-KIA12N60H-KIA全线代理
价格
订货量(个)
¥1.50
≥10
店铺主推品 热销潜力款
联系人 张桐/苏玥
钳钶钶钳钹钴钶钼钴钼钷
发货地 广东省深圳市
在线客服
商品参数
|
商品介绍
|
联系方式
型号 KIA12N60H
品牌 KEC
封装 TO-220
环保类别 无铅环保型
安装方式 直插式
包装方式 管装
批号 1825+
数量 25000
数量 30000
商品介绍
MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET。MOSFET里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做为氧化层之用。今日半导体元件的材料通常以硅(silicon)为首选,但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程,当中最著名的例如IBM使用硅与锗(germanium)的混合物所发展的硅锗制程(silicon-germanium process,SiGe process)。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料,如砷化镓(gallium arsenide,GaAs),因为无法在表面长出品质够好的氧化层,所以无法用来制造MOSFET元件。
联系方式
公司名称 蓝界科技(深圳)有限公司
联系卖家 张桐/苏玥 (QQ:2355295460)
电话 钺钵钼钼-钹钶钴钴钷钴钸钴
手机 钳钶钶钳钹钴钶钼钴钼钷
传真 钺钵钼钼-钻钹钵钸钵钼钳钸
地址 广东省深圳市