制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 180 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 150 nC

配置: Single

Pd-功率耗散: 370 W

封装: Tube

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.4 mm  

商标: Infineon / IR  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

零件号别名: SP001570598  

单位重量: 6 g