PDB4854S 40V/4.3A/双N沟道/DFN2X2-6场效应管 博盛MOS管
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商品参数
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商品介绍
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联系方式
品牌 WINSOK
型号 PDB4854S
封装 DFN2X2-6
批号 2019+
FET类型 2019+
漏源电压(Vdss) 40
漏极电流(Id) 4.3
漏源导通电阻(RDS On) 1.1
栅源电压(Vgs) 1.2/1.7/2.5
栅极电荷(Qg) 4
反向恢复时间 1.7
最大耗散功率 0.85
配置类型 增强型
工作温度范围 —50°~150°
安装类型 增强型
应用领域 安防设备,家用电器,智能家居,照明电子,可穿戴设备,物联网IoT,新能源,网络通信
商品介绍

PDB4854S  40V/4.3A/双N沟道/DFN2X2-6场效应管  博盛MOS管


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公司名称 深圳市冠华伟业科技有限公司
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地址 广东省深圳市