IXTA100N04T2 40V/100A/N沟道/TO-263封装场效应管 艾赛斯MOS管
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商品参数
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商品介绍
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品牌 WINSOK
型号 IXTA100N04T2
封装 TO-263封装
批号 2019+
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 40
漏极电流(Id) 100
漏源导通电阻(RDS On) 0.007
栅源电压(Vgs) 40
栅极电荷(Qg) 25.5
反向恢复时间 1.7
最大耗散功率 1
配置类型 增强型
工作温度范围 -55℃-150℃
安装类型 贴片
应用领域 家用电器,安防设备,3C数码,照明电子,医疗电子,物联网IoT,新能源,网络通信
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IXTA100N04T2 40V/100A/N沟道/TO-263封装场效应管 艾赛斯MOS管


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公司名称 深圳市冠华伟业科技有限公司
联系卖家 林小辉 (QQ:178585772)
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地址 广东省深圳市