BD681的主要参数

型号：BD681

制造商:STMicroelectronics

产品种类:达林顿晶体管

 配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

最大直流电集电极电流:4 A

最大集电极截止电流:200 uAPd-

功率耗散:40 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:SOT-32

最大工作温度:+ 150 C

系列:BD681

高度:10.8 mm 

长度:7.8 mm 

宽度:2.7 mm

 商标:STMicroelectronics 

集电极连续电流:4 A 

直流集电极/Base Gain hfe Min:750 

产品类型:Darlington Transistors

 工厂包装数量:2000 

子类别:Transistors

Mouser编号：511-BD681

制造商编号：BD681

制造商：STMicroelectronics

说明：达林顿晶体管 NPN Power Darlington

公司简介：

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