WSD20L120DN56 -20V/-120A/DFN封装/P沟道场效应管 MOS管原装现货
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商品参数
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商品介绍
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品牌 WINSOK微硕
型号 WSD20L120DN56
封装 DFN5X6
批号 2018
FET类型 P-Ch MOSFET
漏源电压(Vdss) -20V
漏极电流(Id) -120A
漏源导通电阻(RDS On) 2.1mΩ
栅源电压(Vgs) ±10
栅极电荷(Qg) 100
反向恢复时间 -1.0
最大耗散功率 130
配置类型 增强型
工作温度范围 -55 to 150
安装类型 绝缘栅(MOSFET)
应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,安防设备,家用电器,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信
商品介绍

WSD20L120DN56 -20V/-120A/DFN封装/P沟道场效应管 MOS管原装现货详情3_01.jpg

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联系方式
公司名称 深圳市冠华伟业科技有限公司
联系卖家 林小辉 (QQ:178585772)
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