WSD20L50DN -20V/-50A/DFN封装/P沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕
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商品参数
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商品介绍
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联系方式
品牌 WINSOK
型号 WSD20L50DN
封装 DFN3X3
批号 2018
FET类型 P-Ch MOSFET
漏源电压(Vdss) -20V
漏极电流(Id) -50A
漏源导通电阻(RDS On) 9.0mΩ
栅源电压(Vgs) ±12
栅极电荷(Qg) 25
反向恢复时间 -1.0
最大耗散功率 31.25
配置类型 增强型
工作温度范围 -55 to 150
安装类型 绝缘栅(MOSFET)
应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,安防设备,家用电器,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信
商品介绍

WSD20L50DN -20V/-50A/DFN封装/P沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕

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公司名称 深圳市冠华伟业科技有限公司
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地址 广东省深圳市