WSD2012DN25 20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕
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商品参数
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商品介绍
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联系方式
品牌 WINSOK
型号 WSD2012DN25
封装 DFN2X5
批号 2018
FET类型 绝缘栅(MOSFET)
漏源电压(Vdss) 20V
漏极电流(Id) 11A
漏源导通电阻(RDS On) 9.5mΩ(max)
栅源电压(Vgs) 12V
栅极电荷(Qg) 12.5
反向恢复时间 1.0
最大耗散功率 1.7
配置类型 增强型
工作温度范围 -55℃-150℃
安装类型 贴片
应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,家用电器,安防设备,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信
商品介绍

WSD2012DN25 20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕

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公司名称 深圳市冠华伟业科技有限公司
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地址 广东省深圳市