WSD1216DN22 -12V/-9.4A/DFN封装/P沟道MOS管 WINSOK微硕场效应管
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商品参数
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商品介绍
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品牌 WINSOK微硕
型号 WSD1216DN22
封装 DFN2X2-6L
批号 2018
FET类型 绝缘栅(MOSFET)
漏源电压(Vdss) -12V
漏极电流(Id) -9.4A
漏源导通电阻(RDS On) 15mΩ
栅源电压(Vgs) 8
栅极电荷(Qg) 15.5
反向恢复时间 -0.9
最大耗散功率 2.5
配置类型 增强型
工作温度范围 -55℃-150℃
安装类型 贴片
应用领域 3C数码,智能家居,医疗电子,可穿戴设备,物联网IoT,网络通信
其他封装叫法 QFN2X2
商品介绍

WSD1216DN22 -12V/-9.4A/DFN封装/P沟道MOS管 WINSOK微硕场效应管

WSD2012

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