IPD30N06S4L-23 INFINEON/英飞凌 23+ TO252
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类别 分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET 单 FET,MOSFET
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
类型 描述 全选 类别 分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET 单 FET,MOSFET 制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ 包装 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A( 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 23 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 21 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1560 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 36W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-11
封装/外壳 TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
基本产品编号 IPD30N06
型号 IPD30N06S4L-23
品牌 INFINEON/英飞凌
批号 23+
封装 TO252
QQ 2881704034
商品介绍


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公司名称 深圳市恒天华科技有限公司
联系卖家 邓小姐 (QQ:2881704035)
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地址 广东省深圳市
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