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商品参数

商品介绍

联系方式

数量 31600

Q Q 2530694866

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

漏源电压（Vdss） 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻 780 毫欧 @ 500mA，4.5V

型号 FDG6317NZ

品牌 ON/安森美

批号 2020

封装 SOT-363

交易说明工厂价格优惠

QQ 2530694866

商品介绍

一般信息

数据列表	FDG6318PZ;
标准包装	3,000
包装	标准卷带
零件状态	最後搶購
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列	-
其它名称	FDG6318PZ-ND FDG6318PZTR

规格

FET 类型	2 个 P 沟道（双）
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	780 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.62nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	85.4pF @ 10V
功率 - 最大值	300mW
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装	SC-88（SC-70-6）