深圳市腾华泰电子有限公司主营：DK112，DK1203，DK124




这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（UnipolarJunctionTransistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOSFET和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管




更小的几何形状工艺可以在终产品中高度集成更多的高耗电功能。例如，现代计算机服务器和光通信路由系统需要更宽的带宽来处理更多的计算数据和互联网流量，这些系统还会产生大量的热量，因此需要的IC。汽车配备更多的车载电子设备，用于娱乐、导航、自动驾驶功能甚至发动机控制。于是，系统的电流消耗和相应的总功耗都会增加。因此，需要先进的封装和内部电源级的创新设计将热量驱散出电源IC，同时提供更高的功率。高电源抑制比(PSRR)和低输出电压噪声(或纹波)是重要的考虑因素。具有高电源抑制比的器件可以滤除和抑制输入噪声，从而获得干净稳定的输出。




使用东科18W高集成PD快充参考设计给三星S10+充电，显示电压9.09V，电流1.62A，充电功率约为14.76W，开启USBPD快充。使用东科18W高集成PD快充参考设计给小米9充电，显示电压9.08V，电流1.76A，充电功率约为16.02W，开启USBPD快充。使用东科18W高集成PD快充参考设计给华为P30Pro充电，显示电压9.1V，电流1.3A，充电功率约为11.83W，开启USBPD快充。此外，东科18W高集成1A1C快充参考设计同样具有小尺寸的特点，大小与苹果18W快充相当，并且PCB板余量充足，客户在设计时可以进一步压缩PCB板尺寸。这套18W1A1C快充参考设计背面电路设计精简，这也得益于DK218M以及DK5V85R15C的采用，初级和次级各用一颗即可实现AC-DC功能。