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IGBT的驱动电路特点（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

输出特性与转移特性：

IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。

IGBT与MOSFET的对比：

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

主要优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。

用什么直流电机驱动芯片（二）

2 ML4428原理图及功能实现

ML4428电机控制器不用霍尔传感器就可为Y形无刷直流电机(BLDC)提供起动和调速所需的各种功能。它采用28脚双列表面SOIC封装，它的内部框图如图1所示〔1〕，ML4428使用锁相环技术，从电机线圈检测反电势，确定换向次序；采用专门的反电势检测技术，可实现三相无刷直流换向且不受PWM噪声及电机缓冲电路的影响；采用了检查转子位置并准确对电机加速的起动技术，确保起动时电机不会反转并可缩短起动时间。

2.1 反电势检测信号的获得

无位置传感器无刷直流电动机的控制与有位置传感器无刷直流电机控制的根本区别就是利用反电势的波形寻找换向点。当永磁无刷直流电动机运转时，各相绕组的反电动势(EMF)与转子位置密切相关。由于各相绕组是交替导通工作的，在某相不导通的时刻，其反电动势波形的某些特殊点，可代替转子位置传感器的功能，得到所需要的信息。

由于对于单相反电动势波形图，反电动势过零点30°处对应绕组的换向信号，找出反电动势过零点，即反电动势检测的任务〔2〕。基于这一原理，在该芯片内设计了一个独特的反电势检测电路(见图2)，由于有了中点模拟电路，不需从电机三相绕组中引出中线

常见LCD驱动方式

一、字符型LCD驱动器操纵IC

销售市场上通用性的8×1、8×2、16×1、16×2、16×4、20×2、20×4、40×4等字符型LCD,大部分都选用的KS0066做为LCD的驱动器控制板

二、图型点阵容LCD驱动器操纵IC

1、点阵式数122×32

2、点阵式数128×64

（1）ST7920/ST7921,适用串行通信或并行处理数据信息实际操作方法，内嵌汉语汉字库

（2）KS0108,只适用并行处理数据信息实际操作方法，这一也是通用性的12864点阵式液晶显示屏的驱动器操纵IC

（3）ST7565P,适用串行通信或并行处理数据信息实际操作方法

（4）S6B0724,适用串行通信或并行处理数据信息实际操作方法

（5）T6963C,只适用并行处理数据信息实际操作方法

3、别的点阵式数如192×64、240×64、320×64、240×128的一般全是选用T6963c驱动器操纵集成ic

4、点阵式数320×240,通用性的选用RA8835驱动器操纵IC