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瀚佳科技（深圳）有限公司
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店龄4年 · 
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广东省深圳市 
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Infineon英飞凌-MOSFET管-IPB042N10N3G原装现货
价格
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店铺主推品 热销潜力款
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发货地 广东省深圳市
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商品参数
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商品介绍
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联系方式
型号 IPB042N10N3G
品牌 Infineon
批号 21+
封装 PG-TO-263-3
QQ 2480898381
Vds-漏源极击穿电压 100 V
晶体管极性 N-Channel
Id-连续漏极电流 100 A
通道数量 1 Channel
Rds On-漏源导通电阻 4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
Qg-栅极电荷 88 nC
数量 65200
商品介绍
| Infineon | ||
| MOSFET | ||
| RoHS: | 详细信息 | |
| Si | ||
| SMD/SMT | ||
| TO-263-3 | ||
| N-Channel | ||
| 1 Channel | ||
| 100 V | ||
| 100 A | ||
| 4.2 mOhms | ||
| - 20 V, + 20 V | ||
| 2 V | ||
| 88 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 175 C | ||
| 214 W | ||
| Enhancement | ||
| OptiMOS | ||
| Reel | ||
| Cut Tape | ||
| MouseReel | ||
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 14 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 73 S | |
| 高度: | 4.4 mm | |
| 长度: | 10 mm | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 59 ns | |
| 系列: | OptiMOS 3 | |
| 工厂包装数量: | 1000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 48 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 27 ns | |
| 宽度: | 9.25 mm | |
| 零件号别名: | IPB42N1N3GXT SP000446880 IPB042N10N3GATMA1 | |
| 单位重量: | 324 mg |
联系方式
公司名称 瀚佳科技（深圳）有限公司
联系卖家 李生 
（QQ：2480898381）
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地址 广东省深圳市
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