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商品参数
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品牌 AOS
Q Q 2530694866
封装 DFN
数量 320000
年份 2019+
FET 类型 N 沟道 技术
MOSFET (金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
商品介绍

商品详情

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列AlphaMOS
包装方式Re-Reel®
寿命周期在售
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)48A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)105nC @ 10V
Vgs(最大值)±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)4175pF @ 15V
功率耗散(最大值)6.2W(Ta),83.3W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.8 毫欧 @ 20A,10V
工作温度范围-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装 / 箱体8-DFN-EP(3.3x3.3)
封装/外壳8-PowerWDFN





联系方式
公司名称 深圳市米莱欧科技有限公司
联系卖家 姚少华 (QQ:2530694866)
电话 莵莽莻莻-莶莾莽莶莵莺莺莺
手机 莸莾莽莹莻莻莼莵莹莹莹
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地址 广东省深圳市
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