场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY SOT-23工厂价格优惠
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品牌 VISHAY
Q Q 2530694866
封装 SOT-23
数量 320000
年份 2019+
产品种类 MOSFET
RoHS
技术 Si
商品介绍

技术参数

品牌:VISHAY/威世
型号:SI2301CDS-T1-GE3
批号:2019+
封装:SOT-23
数量:320000
QQ:2530694866
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:3.1 A
Rds On-漏源导通电阻:112 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV
Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V
Qg-栅极电荷:10 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.6 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SI2
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:9.5 S
下降时间:10 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:35 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:30 ns
典型接通延迟时间:11 ns
零件号别名:SI2301CDS-GE3
单位重量:8 mg



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公司名称 深圳市米莱欧科技有限公司
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地址 广东省深圳市
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