一、特性
低待机电流 小于 0.1uA)
低导通内阻 MOSFET 功率开关管
— 采用 MOS 工艺设计功率管
— 12 00 毫安通道功率管内阻 0. 3 5 欧姆
— 200 毫安通道功率管内阻 0. 3 1 欧姆
特定条件下 VCC 可以悬空
— 输入信号高电平电压大于 2.4V较小的输入电流
— 集成约 1 5 K 对地下拉电阻
— VCC 正常连接， 3V 驱动信号平均 200 uA 输入电流
— VCC 悬空， 3V 驱动信号平均 350 uA 输入电流
内置带迟滞效应的过热保护电路 (抗静电等级： 3 KV (HBM)

二、概述
该产品采用H 桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET ，工作电压范围覆盖 2 V 到 9.6 V 。 27 V DD 6. 5 V 条件下持续输出 电流达到 1. 5 A ，峰值输出电流达到 2 .5 A 。
该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部 温度超过设定值时典型值 150 产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。

三、应用范围
2 6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动
2 6 节镍 氢 镍 镉充电电池供电的玩具马达驱动
1 2 节 锂电池供电的马达驱动
电子锁