半导体晶圆片激光切割 硅片 微纳切割 闪电发货—华诺激光晶圆硅片切割
华诺激光于2002年在北京成立，经过十多年的发展成为智能制造及激光应用解决方案权威供应商，是集研发、生产、销售和服务为一体的高新技术企业，下属华诺恒宇光能科技有限公司和天津华诺普锐斯科技有限公司两家公司。
激光隐形切割作为激光切割晶圆的一种方案，很好的避免了砂轮划片存在的问题。如图1所示，激光隐形切割是通过将脉冲激光的单个脉冲通过光学整形，让其透过材料表面在材料内部聚焦，在焦点区域能量密度较高，形成多光子吸收非线性吸收效应，使得材料改性形成裂纹。每一个激光脉冲等距作用，形成等距的损伤即可在材料内部形成一个改质层。在改质层位置材料的分子键被破坏，材料的连接变的脆弱而易于分开。切割完成后通过拉伸承载膜的方式，将产品充分分开，并使得芯片与芯片之间产生间隙。这样的加工方式避免了机械的直接接触和纯水的冲洗造成的破坏。目前激光隐形切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅以及多种化合物半导体晶圆。

1.激光切割、划片是非机械式的，属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其他损坏现象。
2.激光切割、划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响较小，可以提高更高的切割成品率。
3.激光切割速度为150mm/s。切割速度较快。
4.激光可以切割厚度较薄的晶圆，可以胜任不同厚度的晶圆划片。
5.激光可以切割一些较为复杂的晶圆芯片，如六边形管芯等。
6.激光切割不需要去离子水，不存在刀具磨损问题，可连续24小时作业。
7.激光具有很好的兼容性，对于不同的晶圆片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。
激光属于无接触式加工，不对晶圆产生机械应力的作用，对晶圆损伤较小。由于激光在聚焦上的优点，聚焦点可小到微米数量级，从而对晶圆的微处理更具有优越性，可以进行小部件的加工；即使在不高的脉冲能量水平下，也能得到较高的能量密度，有效地进行材料加工。大多数材料吸收激光直接将硅材料气化，形成沟道。从而实现切割的目的因为光斑点较小，最低限度的炭化影响。
晶圆激光切割与传统的机械切割法相比，这种新的方法有几个重要的优点。首先，这是一步即可完成的、干燥的加工过程。边缘光滑整齐，不需要后续的清洁和打磨。并且，激光引致的分离过程产生高强度、自然回火的边缘，没有微小裂痕。使用这种方法，避免了不可预料的裂痕和残破，降低了次品率，提高了产量。
因为裂痕是精确地沿着激光光束所划出的痕迹， 激光引致的分离可以切划出非常精确的曲线图案。我们所做的实验也证明了无论直线或是曲线，激光切割都能连续地、精确地完成设定图案，重复性可达＋50μm。所以激光可以进行曲线图形的精确切割。激光切割晶圆有速度快、精度高，定位准确等明显优势。
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