IGBT的触发和关断要求给其栅和基之间加上正向电压和负向电压，栅电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅- 发射阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。



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