北京赛米莱德贸易有限公司
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正负光刻胶-干膜光刻胶-Futurrex
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光刻胶介绍
光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体核心材料,随后被改进运用到PCB板的制造,并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。
光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%,耗时占整个芯片工艺的40%~60%,是半导体制造中核心的工艺。
以半导体光刻胶为例,在光刻工艺中,光刻胶被均匀涂布在衬底上,经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺,将掩膜版上的图形转移到衬底上,形成与掩膜版完全对应的几何图形。
光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求,半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以极限分辨率,世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别,光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm),以及达到EUV(<13.5nm)线水平。
目前,半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、KrF、ArF四类光刻胶,其中,g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。KrF和ArF光刻胶核心技术基本被日本和美国企业所垄断。
光刻胶趋势
半导体光刻胶领域全球市场规模趋于稳定, 2017年全球市场约13.5亿美元;国内市场约20.2亿元,近5年复合增速达12%。受全球半导体市场复苏和国内承接产业转移,预计全球光刻胶市场将保持稳定增速,国内市占率稳步抬升。
光刻胶生产、检测、评价的设备价格昂贵,需要一定前期资本投入;光刻胶企业通常运营成本较高,下游厂商认证采购时间较长,为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势,需要足够的中后期资金支持。企业持续发展也需投入较大的资金,光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒,国外光刻胶厂商相对于国内厂商,其公司规模更大,具有资金和技术优势。
总体上,光刻胶行业得到国家层面上的政策支持。《国家集成电路产业发展推进纲要》,提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备,开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”;国家重点支持的高新技术领域(2015)中提到“高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分,是重点发展的新材料技术”;光刻技术(包括光刻胶)是《中国制造 2025》重点领域。
光刻胶应用
光刻胶是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料,是由光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体(活性稀释剂)、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体,其中,树脂约占50%,单体约占35%。它能通过光化学反应改变自身在显影液中的溶解性,通过将光刻胶均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上,利用它的光化学敏感性,通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程,将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上。
光刻胶常被称为是精细化工行业技术壁垒的材料,是因为微米级乃至纳米级的图形加工对其专用化学品的要求极高,不仅化学结构特殊,品质要求也很苛刻,所以生产工艺复杂,需要长期的技术积累。
被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,是电子制造领域的关键材料之一。下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。