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多传感器

1.关于检测概率引起的传感器更新顺序问题。在迭代形式的多传感器PHD(Iterated corrector PHD,IC-PHD)滤波中,跟踪结果的好坏主要取决于后一个更新传感器的检测概率。当该传感器的检测概率较低时,极易造成整个多传感器系统发生漏检。为此,基于高斯混合实现的IC-PHD滤波,本文提出一种改进的滤波算法。该算法与原始滤波算法的结构类似,不同的是改进算法中每个高斯分量对应的检测概率或漏检概率是由多个传感器的检测概率和漏检概率融合而成的。结果表明,改进算法不仅降低检测概率的影响,同时也弱化了传感器顺序的影响。

2.关于漏检引起的目标问题。在乘积多传感器PHD(Product multi-sensor PHD,PM-PHD)滤波中,修正系数需要计算每一项均大于零的无穷项的和,计算不可行。为此,提出一种有限项近似方法。该方法在分析无穷项收敛性的基础上,利用具有代表性的有限项的求和来近似。此外,一旦发生目标漏检,PM-PHD滤波则有可能估计出目标。为此,基于高斯混合实现的PM-PHD滤波,本文提出一种高斯分量权重的重分配方法。结果表明,该方法能同时避免目标和漏检的发生,有效提高了滤波算法的性能。

3.关于量测信息利用不完全引起的目标权重估计错误问题。在计算由量测划分产生的量测子集的权重时,由于IC-PHD滤波不能充分利用多个传感器的量测信息,有时会出现权重过大或过小的现象。为此,本文提出一种双向权重计算方法。该方法将量测子集的权重分为两部分。一部分主要用于解决因漏检造成的权重过低问题,另一部分主要用于解决因虚警造成的权重过高问题。结果表明,改进方法能有效提高滤波算法的跟踪精度和鲁棒性。

为什么在led驱动电源中要尽量使用mosfet器件

LED驱动电源是否一定要用(mosfet器件)MOS管应从产品性价比、系统来散热（包括电源本身和灯具）几方面考虑，并不一定要求LED电源要用MOS管：

1、从散源热角度考虑：LED驱动电源和LED灯珠既是热源体又是受热体，根据多年设计经验，我们赛明源电源在设计30W以上电源时全部使用MOS管与控制IC分离方案。因为百，就现有技术（截止2015年）内置MOS管方案超过30W以上电源散热就是问题，系统很难保证其稳定性；

2、从度性价比上考虑：在设计30W以下LED电源时，赛明知源电源有些采用内置MOS管方案道，因为这种方案已经成熟，散热不是问题，系统稳定性较高。小功率LED电源可以不用考虑使用MOS，再说内置MOS方案EMC指标很容易通过。

igbt驱动电路的简介

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。