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IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点:击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在u级的漏电流流过,基本上不消耗功率。
存储芯片内地发展的影响
价钱:减价或成大势所趋
获益于中下游智能机、AI、大数据中心、轿车、物联网技术等多极运用的驱动器,存储芯片销售市场有希望持续保持高提高。美光预估17年至二零二一年,DRAM要求复合型增长率将达20%,NAND位要求复合型增长率将达40-45%。
存储芯片的价格上涨由需求量很高刚开始,是不是不断还得看供求。要求是迟缓提高,而提供会忽然提升,伴随着国际性大型厂生产能力释放出来及其内地储存新项目有序推进,存储芯片价格波动或成大势所趋。
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伴随着WiFi6的落地式普及化,高速运行产生的高变换与高容,对无线路由器等机器设备的运存将会出现高些的规定。
DDR做为运用普遍的动态性随机存储器储存器,被运用于光纤猫机器设备中,DDR实质上不用提升时钟频率就能翻倍提升SDRAM的速率,它容许在脉冲发生器的上升沿和降低沿读出数据,因此其速率是规范SDRAM的二倍。