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深圳市科沅电子有限公司
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店龄4年 · 
企业认证 · 
广东省深圳市 
深圳市科沅电子有限公司
主营产品： 电子元器件 集成电路
钺钵钼钼-钻钹钼钷钺钳钷钸
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FQD16N25CTM-FQD16N25C-TO-252-250V
价格
订货量(个)
￥5.00
≥1
￥4.50
≥100
￥3.00
≥1000
店铺主推品 热销潜力款
联系人 苏柯 销售员
钺钵钼钼-钻钹钼钷钺钳钷钸
发货地 广东省深圳市
在线客服
商品参数
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商品介绍
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联系方式
品牌 FSC
封装 TO-252
型号 FQD16N25CTM
批号 20+
FET类型 N沟道
漏源电压（Vdss） 250V
漏极电流(Id) 16A
漏源导通电阻(RDS On) 4V @ 250µA
栅源电压(Vgs) 53.5nC @ 10V
栅极电荷(Qg) 250µA
反向恢复时间 270 毫欧 @ 8A
最大耗散功率 160W
配置类型 QFET
工作温度范围 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装
应用领域 军工/航天,安防设备,家用电器,3C数码,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,物联网IoT,汽车电子,新能源,网络通信
数量 7500
商品介绍
FQD16N25CTM FQD16N25C TO-252 250V 16A MOS管场效应管
型号：FQD16N25C
包装：2500/盘
类别：分立半导体
产品族：晶体管FET MOSFET 单
系列:QFET
FET类型：N沟道
类别：MOSFET 金属氧化物
漏源电压：250V
连续漏电流：16A
驱动电压：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On：270 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅电荷 ：53.5nC @ 10V
Vgs：±30V
不同 Vds 时的输入电容：1080pF @ 25V
功率耗散：160W
工作温度：-55°C ~ 150°C
封装：DPAK TO-252-3
类别：分立半导体
产品族：晶体管FET MOSFET 单
系列:QFET
FET类型：N沟道
类别：MOSFET 金属氧化物
漏源电压：250V
连续漏电流：16A
驱动电压：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On：270 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅电荷 ：53.5nC @ 10V
Vgs：±30V
不同 Vds 时的输入电容：1080pF @ 25V
功率耗散：160W
工作温度：-55°C ~ 150°C
封装：DPAK TO-252-3
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联系方式
公司名称 深圳市科沅电子有限公司
联系卖家 苏柯 
（QQ：852559412）
（QQ：852559412） 电话 钺钵钼钼-钻钹钼钷钺钳钷钸
手机 钺钵钼钼-钻钹钼钷钺钳钷钸
传真 钺钵钼钼-钹钶钴钸钷钳钷钻
地址 广东省深圳市
苏柯 销售员
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