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IGBT的驱动电路特点（二）

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

平板显示技术性归类

流行還是透过式，指光要透过filter膜层被观众们见到，那透过式里边依据光源种类又分成自发亮和非自发亮，这一比较好了解，非自发亮便是自身沒有光，务必靠外部灯源来照亮，例如月儿点亮夜里的地球上。

文中所说的LCD便是归属于非自发亮，她务必要借出led灯管发亮透过液晶显示屏和滤光层(CF)才可以被观众们见到。而之前的CRT及其时下火爆的OLED及其LED光电技术都归属于自发亮的种类。

LED驱动器是指驱动LED驱动器或LED驱动器组件正常工作的电子器件。因为LEDPN结的导通特性决定了其适合的电源电压和电流变化范围很小，稍有偏差就可能不能点亮LED，发光效率严重下降，或缩短使用寿命甚至烧毁芯片。目前工频电源和普通电池电源都不适合直接向LED供电，LED驱动器就是这种电子元件，可使驱动LED在良好的电压或电流状态下工作。

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