场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4700L AOS 美国万代 电子元器件IC
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场效应管-N沟道-P沟道MOS管-AO4700L-AOS

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联系人 蔡小姐

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发货地 广东省深圳市
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商品参数
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商品介绍
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联系方式
品牌 AOS
型号 AO4700L
封装 SOP-8
批号 17+18+
FET类型 参照PDF
漏源电压(Vdss) 参照PDF
漏极电流(Id) 参照PDF
漏源导通电阻(RDS On) 参照PDF
栅源电压(Vgs) 参照PDF
栅极电荷(Qg) 参照PDF
反向恢复时间 标准
最大耗散功率 标准
配置类型 标准
工作温度范围 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 贴片SMD
应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,安防设备,家用电器,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信
是否跨境货源
导电方式 增强型
数量 9876
商品介绍
场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4700L AOS 美国万代 电子元器件IC





名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4700L AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4700L
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:UNI/一般用途
封装外形:SMD(SO)/表面封装
是否跨境出口货源:是
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联系方式
公司名称 深圳市友智联科技有限公司
联系卖家 蔡小姐 (QQ:1804312814)
电话 䝑䝗䝏䝏-䝕䝐䝓䝓䝔䝔䝓䝑
手机 䝒䝐䝒䝘䝕䝗䝗䝕䝕䝓䝐
传真 䝑䝗䝏䝏-䝕䝕䝓䝔䝕䝐䝘䝑
地址 广东省深圳市