一般信息

数据列表       IRF(R,U)024NPbF;

标准包装      2,000

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       HEXFET®

其它名称       IRFR024NPBFTR

SP001552090

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）      10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    20nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  370pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    45W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D-Pak