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整流桥壳体正面表面的温度分布。从上图可以看出，整流桥壳体正面的温度分布是极不均匀的，在热源（二极管）的正上方其表面温度达到109 ℃，然而在整流桥的中间位置，远离热源处却只有75 ℃，其表面的温差可达到34℃左右。这主要是由于覆盖在二极管表面的是导热性能较差的FR4（其导热系数小于3.0W/m.℃），因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时，这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时，对测温热电偶位置的放置不同，得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明，在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4，所以其内部的温度分布极不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时，应着重注意该现象，力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。

整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接，两只的为半桥，四只的则称全桥。外部采用绝缘塑料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热性能。

整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。

整流桥具有体积小,使用方便等特点,在家用电器和工业电子电路中应用 非常广泛.常用的小功率整流桥有全桥和半桥之分.全桥是将四只硅整流二极管接成桥路的形式, 常见的型号有 QL52~QL61 系列,PM104M 和 BR300 系列等.半桥有三种结构:一种是将两只二极 管顺向串联,在结点处引出一电极(如 2CQ1 型),另一 种是将两只二极管背靠背式反极性连接(称共阴式,如 2CQ2 型);第三种是将两只二极管头碰头式反极性连接(称共阳式,如 2CQ3 型).
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