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igbt驱动电路的简介

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

LED灯的“电源”和“驱动电源”有什么区别？

概括地说,LED驱动也是开关电源的一种,只是它有几点特殊性,也是这类开关电源的共性,所以习惯上把它分类称为LED驱动了.这几点特殊性是:

1、它的电压输出是3.2的倍数,就是说电压输出的形式为3.2V、6.4V.9.6V、12.8V.....,但一般不超过25.6V,因为超过这个数后,在开启LED的时候,会因产品的一至性不好而发生瞬间烧掉后导通的那只LED的可能性.而这个电压也不是恒定的,而是随负载的变化而变化,以达到恒流的目的.

2、它的输出电流是恒定的,理想的电路是无论LED的特性曲线怎么变化,驱动电源的电流保持不变.但限于元件精度,还是会有少量的变化的,而这个变化也是判断驱动电路是否的重要参数,LED的导通与电压的函数是一个非线性的“三段”关系,所以保持恒流非常重要.

3、它的启动是软启动.由于LED的一致性非常差,并且在导通时内部PN结的活性发生瞬间变化,所以LED的驱动一般设计为软启动,来避开这个缺陷.

4、它的电路要求,因为很多时候,要求电路装在一个很小的空间里,以配合LED照明的方便性,所以电路应尽可能的简单,这样也能节约成本、减少能耗.

5、它一般不要求隔离,因为很多产品是类似于普通照明灯一样的结构,安全方面可与照明灯相仿就是,但这第5条是一个“选读项”,大家在了解的时候不要有误解,因为有的驱动还是需要隔离的,这个特点只适用于我们目前流行的电路,而不一定适合以后的电路发展需要.

综上所述,可以认为:软启动、恒流、阶跃电压、电路简单是它的特点.

直流电机驱动芯片应该怎么选择？

目前用的的一个H桥驱动芯片zd：L928N，这个芯片是很简单，很便宜，而且很容易买到，一个芯片里面就集成了2路的H桥电路，还带PWM控制和电流采集。电机驱动芯片是集成有CMOS 控制电路和DMOS 功率器件的芯片，利用它可以与主处理回器、电机和增量型编码器构成一个答完整的运动控制系统。可以用来驱动直流电机、步进电机和继电器等感性负载。

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