晶体管 - 双极 (BJT)类别分立半导体产品晶体管 - 双极 (BJT) - 单制造商ON Semiconductor系列汽车级，AEC-Q101包装 带卷（TR） 零件状态在售晶体管类型NPN电流 - 集电极（Ic）晶体管 - 双极 (BJT)（最大值）600mA电压 - 集射极击穿（最大值）40V不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）1V @ 50mA，500mA电流 - 集电极截止（最大值）10nA（ICBO）不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）100 @ 150mA，10V功率 - 最大值225mW频率 - 跃迁300MHz工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3晶体管 - 双极 (BJT)。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管 - 双极 (BJT)利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管 - 双极 (BJT)因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）晶体管 - 双极 (BJT)。