IPP020N08N5 MOSFET TO-220-3
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IPP020N08N5 MOSFET TO-220-3
IPP020N08N5 MOSFET TO-220-3

IPP020N08N5-MOSFET-TO-220-3

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联系人 小琳/颜娜/小蔡

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发货地 广东省深圳市
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商品参数
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商品介绍
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联系方式
型号 IPP020N08N5
品牌 Infineon
封装 TO-220-3
批号 18+
产品种类 MOSFET
技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体 TO-220-3
数量 通道数量
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 80 V
数量 100000
商品介绍

深圳市安富世纪电子有限公司是国际知名的电子元器件通路商。公司经过多年的努力,我们已成为中国最大的电子产品授权分销商之一, 拥有国内国际各类型客户一千多家,公司在台湾、香港、北京及深圳等地开设了分支机构,在马来西亚设有中转仓库.
安富世纪不断寻求业内最优秀的人才,以完善的优质服务系统,持续优化前端营销与后勤支持团队,扮演产业供应链专业合作伙伴,提供创造需求(Demand Creation)、交钥匙解决方案(Turnkey Solution)、技术支持、仓储物流与IC电子商务等增值服务,满足原始备制造商(OEM)、原始设计制造商(ODM)、电子制造服务商(EMS)及中小型企业等不同客户需求!
安富世纪自成立以来被多家电子行业网站和杂志评选为中国最值得关注成长型代理分销商和客户最满意供货能力授权分销商之一。公司拥有一支专业和高效的团队,内部不断自我学习和创新,企业严格要求每一位员工做好每一件事,服务好每一个客户,工作中要求精益求精、追求卓越。

我们仍将不断进取,为客户提供最好的服务是我们不懈努力的目标。以专业服务,实现供应商、客户与股东互利共赢。




IPP020N08N5
IPP020N08N5
IPP020N08N5
IPP020N08N5

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 120 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 223 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Tube

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

产品: MOSFET  

系列: OptiMOS 5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: Power MOSFET  

宽度: 4.4 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 114 S  

下降时间: 37 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 36 ns  

工厂包装数量: 500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 102 ns  

典型接通延迟时间: 40 ns  

零件号别名: IPP020N08N5AKSA1 SP001132480  

单位重量: 6 g  



联系方式
公司名称 深圳市安富世纪电子有限公司
联系卖家 小琳/颜娜/小蔡 (QQ:611284370)
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地址 广东省深圳市