电可擦除可编程只读存储器M24M01-RMN6TP
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商品参数
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安装风格 SMD/SMT
封装 SOIC-8
组织: 128 k x 8
访问时间: 900 ns
数据保留: 40 Year
最大时钟频率 0.4 MHz
电源电流—最大值: 2 mA
电源电压-最小: 1.8 V
电源电压-最大: 5.5 V
数量 25000
商品介绍
产品属性属性值搜索类似制造商:STMicroelectronics产品种类:电可擦除可编程只读存储器RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8存储容量:1 Mbit组织:128 k x 8接口类型:Serial, 2-Wire, I2C访问时间:900 ns数据保留:40 Year最大时钟频率:0.4 MHz电源电流—最大值:2 mA电源电压-最小:1.8 V电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:M24M01-R封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.65 mm 长度:5 mm 宽度:4 mm 商标:STMicroelectronics 工作电源电流:2 mA 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V 产品类型:EEPROM 编程电压:1.8 V to 5.5 V 工厂包装数量:2500 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:143 mg 。EEPROM,或写作E2PROM,全称电可擦除可编程只读存储器 (英语:Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory),是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。相比EPROM,EEPROM不需要用紫外线照射,也不需取下,就可以用特定的电压,来抹除芯片上的信息,以便写入新的数据。EEPROM有四种工作模式:读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时,芯片只需要Vcc低电压(一般+5V)供电。编程写入时,芯片通过Vpp(一般+25V, 较新者可能使用 12V 或 5V)获得编程电压,并通过PGM编程脉冲(一般50ms)写入数据。擦除时,只需使用Vpp高电压,不需要紫外线,便可以擦除指定地址的内容。为保证写入正确,电可擦除可编程只读存储器  在每写入一块数据后,都需要进行类似于读取的校验步骤,若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压,电可擦除可编程只读存储器  且写入时间也已有缩短。

由于EEPROM的优秀性能,以及在线上操作的便利,它被广泛用于需要经常擦除的BIOS芯片以及闪存芯片,并逐步替代部分有断电保留需要的RAM芯片,甚至取代部分的硬盘功能(见固态硬盘)。它与高速RAM成为当前(21世纪00年代)最常用且发展最快的两种存储技术。 [1]



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公司名称 深圳国芯威科技有限公司
联系卖家 赵小姐 (QQ:2355619871)
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传真 㜄㜋㜈㜈-㜇㜃㜅㜋㜅㜆㜌㜃-㜊㜇㜋㜆㜉㜄㜃㜄
地址 广东省深圳市