产品属性属性值搜索类似制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:25 ARds On-漏源导通电阻:30 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:16 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:100 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:2.4 mm 长度:6.6 mm 系列:STD25NF10L 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:6.2 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:24 S 下降时间:20 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:40 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:58 ns 典型接通延迟时间:20 ns 单位重量:4 g 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极（端子）；双极性晶体管的三个极（端子），分别是由N型、P型半导体组成的发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极（端子），分别是源极（Source）、栅极（Gate，门极）和漏极（Drain）。晶体管因为有三个电极，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）