ULN2003ADR 达林顿晶体管
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ULN2003ADR-达林顿晶体管

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商品参数
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商品介绍
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型号 ​ULN2003ADR
品牌 Texas Instruments
封装 SOP-16
批号 18+
安装风格 SMD/SMT
数量 2500
数量 76000
商品介绍

ULN2003ADR  达林顿晶体管 介绍:

产品种类: 达林顿晶体管

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

最大直流电集电极电流: 0.5 A

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOP-16

最小工作温度: - 20 C

最大工作温度: + 70 C

系列: ULN2003A

高度: 1.58 mm  

长度: 9.9 mm  

宽度: 3.91 mm  

商标: Texas Instruments  

工厂包装数量: 2500  

子类别: Transistors  

单位重量: 300 mg


ULN2003ADR  达林顿晶体管 新闻资料:


     这一标准设备已被广泛的应用证明是普遍和通用的。这是因为集成7个达林顿晶体管的器件,能够下沉到500毫安和宽GPIO射程能力。ULN2003A器件包括七个高压大电流NPN达林顿晶体管对。所有单位具有公共发射器和开放式集电极输出。为了最大化它们的有效性,这些单元包含电感负载用抑制二极管。ULN2003A设备的每个达林顿对都有一个串联的基极电阻,因此,允许在电源电压为5V或3.3V时直接使用TTL或CMOS操作ULN2003A设备提供了许多接口需求的解决方案,包括螺线管、继电器、灯、小型电机和发光二极管需要超过单个输出能力的汇电流的应用可以通过并行输出。



安富利(深圳)商贸有限公司介绍:

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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ULN2003ADR  达林顿晶体管 产品图片:


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