BSC019N04LS TDSON-8 MOS
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BSC019N04LS-TDSON-8-MOS

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发货地 广东省深圳市
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商品参数
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商品介绍
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联系方式
型号 BSC019N04LS
品牌 INFINEON(英飞凌)
封装 SMD/SMT
环保类别 无铅环保型
安装方式 贴片式
包装方式 卷带编带包装
功率特征 大功率
数量 10000
商品介绍

BSC019N04LS BSC019N04LS

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 57 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.15 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 95 S  

下降时间: 4 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 26 ns  

典型接通延迟时间: 6 ns  

零件号别名: BSC019N04LSATMA1 SP001067012


制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 57 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.15 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 95 S  

下降时间: 4 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 26 ns  

典型接通延迟时间: 6 ns  

零件号别名: BSC019N04LSATMA1 SP001067012




联系方式
公司名称 深圳市安富世纪电子有限公司
联系卖家 小琳/颜娜/小蔡 (QQ:611284370)
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地址 广东省深圳市