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深圳市安富世纪电子有限公司
主营产品: 安富世纪,只做原装正品代理TI, AD, MAXIM, NS, INF, NXP, ST, ON, SIPEX等等 针对全世界客户,原装正品,现货。
BSC019N04LS-TDSON-8-MOS
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BSC019N04LS BSC019N04LS
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 57 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 95 S
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
零件号别名: BSC019N04LSATMA1 SP001067012
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 57 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 95 S
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
零件号别名: BSC019N04LSATMA1 SP001067012