存储器MT47H64M16HR-25E:H
 存储器MT47H64M16HR-25E:H
 存储器MT47H64M16HR-25E:H
 存储器MT47H64M16HR-25E:H
 存储器MT47H64M16HR-25E:H
 存储器MT47H64M16HR-25E:H

-存储器MT47H64M16HR-25E:H

价格

订货量(个)

¥16.00

≥100

联系人 赵小姐

钳钶钺钷钴钻钻钶钳钳钶

发货地 广东省深圳市
立即询价 进入商铺
扫码查看

扫码查看

手机扫码 快速查看

在线客服

商品参数
|
商品介绍
|
联系方式
类型 SDRAM - DDR2
组织: 64 M x 16
封装 FBGA-84
存储容量: 1 Gbit
最大时钟频率: 800 MHz
电源电压-最大: 1.9 V
电源电压-最小: 1.7 V
电源电流—最大值: 95 mA
数量 1500
商品介绍
产品属性属性值搜索类似制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器类型:SDRAM - DDR2数据总线宽度:16 bit组织:64 M x 16封装 / 箱体:FBGA-84存储容量:1 Gbit最大时钟频率:800 MHz电源电压-最大:1.9 V电源电压-最小:1.7 V电源电流—最大值:95 mA最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 85 C系列:MT47H商标:Micron 安装风格:SMD/SMT 产品类型:DRAM 子类别:Memory & Data Storage由于电容不可能长期保持电荷不变,必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作,以保持电荷稳定,这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1,每隔1⒌12μs产生一次DMA请求,该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时,DMA控制器送出到刷新地址信号,对动态存储器执行读操作,每读一次刷新一行。动态存储器每片只有一条输入数据线,而地址引脚只有8条。为了形成64K地址,必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上,借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元,锁存信号也靠着外部地址电路产生。当要从DRAM芯片中读出数据时,CPU首先将行地址加在A0-A7上,而后送出RAS锁存信号,该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS锁存信号,也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1,则在CAS有效期间数据输出并保持。当需要把数据写入芯片时,行列地址先后将R存储器芯片AS和CAS锁存在芯片内部,然后,WE有效,加上要写入的数据,则将该数据写入选中的存贮单元。
联系方式
公司名称 深圳国芯威科技有限公司
联系卖家 赵小姐 (QQ:2355619871)
电话 钳钶钺钷钴钻钻钶钳钳钶
手机 钳钶钺钷钴钻钻钶钳钳钶
传真 钺钵钼钼-钹钴钷钵钷钶钸钴-钻钹钵钶钳钺钴钺
地址 广东省深圳市