本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 制造商：Infineon 产品种类：MOSFET RoHS：详细信息 技术：Si 安装风格：SMD / SMT 封装/箱体：PQFN-8 晶体管极性：N沟道 通道数量：1个频道 Vds-漏源极击穿电压：25 V Id-连续直流电流：100 A Rds漏源导通电阻：1.6毫欧 Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V Qg-萘甲酸：111 nC 最小工作温度：-55°C 最大工作温度：+ 150 C Pd-功率耗散：156 W 商标名：StrongIRFet 封装：剪切带 封装：MouseReel 封装：Reel 配置：单 高度：0.83毫米 长度：6 mm 系列：IRFH8 晶体管类型：1 N沟道 宽度：5毫米 商标：Infineon / IR 正向跨导-预期：181 S 下降时间：22 ns 产品类型：MOSFET 上升时间：54 ns 工厂包装数量：4000 子类别：MOSFET 典型关闭延迟时间：31 ns 典型起始延迟时间：27 ns 零件号别名：IRFH8201TRPBF SP001577876 应用领域 用于12V（典型值）总线浪涌电流的OR-ing MOSFET 电池驱动直流电动机逆变器 特征 低RDSon（<0.95m） 对PCB的低热阻（<0.8°C / W） 薄型（<0.9毫米） 行业标准引脚排列 与现有的表面贴装技术兼容 符合RoHS，无卤素 MSL1，工业资格 好处 降低传导损耗 实现更好的散热 功率密度增加 多厂商兼容性 易于制造 环保 可靠性更高 最大绝对额定值 Parameter Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 49 A ID @ TC (Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 324…† ID @ TC (Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 205…† ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding Technology Limited) 100† IDM Pulsed Drain Current 700‡ PD @TA = 25°C Power Dissipation „ 3.6 W PD @TC (Bottom) = 25°C Power Dissipation „ 156 Linear Derating Factor „ 0.029 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C