本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 制造商：Infineon 产品种类：MOSFET RoHS：详细信息 技术：Si 安装风格：通孔 封装/箱体：TO-220-3 晶体管极性：N沟道 通道数量：1个频道 Vds-漏源极击穿电压：60 V Id-连续直流电流：110 A Rds上漏源导通电阻：4.2毫欧 Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V Vgs th-栅源极阈值电压：3.7 V Qg-萘甲酸：88 nC 最小工作温度：-55 C 最大工作温度：+ 175 C Pd-功率耗散：160 W 商标名：StrongIRFET 封装：Tube 配置：单 高度：15.65毫米 长度：10毫米 晶体管类型：1 N沟道 宽度：4.4毫米 商标：Infineon Technologies 正向跨导-对抗：110 S 下降时间：56 ns 产品类型：MOSFET 上升时间：76 ns MOSFET工厂包装数量：1000 子类别：MOSFET 典型关闭延迟时间：58 ns 典型起始延迟时间：12 ns 零件号别名：IRFB7540PBF SP001563988 单位重量：6 g 应用 有刷电机驱动器应用 BLDC电机驱动器应用 电池供电的电路 半桥和全桥拓扑 同步整流器的应用 谐振模式电源 ORing和冗余电源开关 DC/ DC和AC / DC转换器 DC/ AC逆变器 好处 改进了Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性 全面表征的电容和雪崩SOA 增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力 无铅，符合RoHS 最大绝对额定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 110 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 80 IDM Pulsed Drain Current  430 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 160 W Linear Derating Factor 1.1 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m)