NT5CB128M8DN-CF NANYA（南亚）DDR3存储芯片 原厂原装

生产商：NANYA（南亚）

产品类别：第三代双倍数据率同步动态随机存储器

系列：-

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR3

存储容量：1Gb

存储接口：并联

SPEED(速度)：-

时钟频率：-

写入时间：-

访问时间：-

电压-电源：1.5V

工作温度：0°C ~ 95°C（TC）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-78

原厂包装：托盘

零件状态：在售

产品用途：NANYA（南亚）的DDR3存储芯片主要应用于服务器，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备。我司供应的产品包含NANYA（南亚）的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

DDR3 SDRAM（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory）第三代双倍数据率同步动态存储器，是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的功。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。封装方面（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。关于突发长度（BL，Burst Length）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。在寻址时序方面（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 从环保角度去看，降低功耗对业界是有着实实在在的贡献的，全球的PC每年的耗电量相当惊人，即使是每台PC减低1W的幅度，它的省电量都是非常可观的。DDR3内存在达到高带宽的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比DDR2更好。

价格说明

我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格，非原价，仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。

购买说明

客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量，库存位置，订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单，交由客户最后确认签字后生成正式订单。