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深圳市宏源世纪科技有限公司
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AO4447-SOP8-30V/17A-P
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规格书:AO4447A
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 105nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
AO4447A AO4447A
深圳市宏源世纪科技有限公司
★经营特性:本司提供同类产品不同品牌型号替代产品,以满足现代先进电子产品精密和复杂的电源要求,在保证一流品质和高性能的情况下降低您的成本,给您的产品在同行业中具有很大的成本效益与竞争优势。 ★经营范围:MOSFET(场效应管),TVS瞬变,放大器,逻辑,能源管理,音频,传感器,功率半导体等! ★应用产品:电源控制,锂电池保护,LED/液晶/显示器,笔记本/平板电脑,航模/电动玩具,电子书,智能家具,卫星导航仪等等!