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深圳市宏源世纪科技有限公司
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AOD4286-AOD4286-TO252-沟道
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规格书:AOD4286
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta),14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 68 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 390pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
AOD4286 AOD4286
深圳市宏源世纪科技有限公司
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