数据列表:          AON7423

标准包装:          5000

包装:                 标准卷带

类别:                 分立半导体产品

产品族:              晶体管 - FET，MOSFET - 单

型号规格:          P 沟道 MOSFET（金属氧化物）

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漏源电压（Vdss）:20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta），50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 4.5V

Vgs（最大值）:±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5626pF @ 10V

功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），83W（Tc）

工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

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A：RθJA的值是在安装在2in的1in2 FR-4板上的设备上测得的。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。该

功耗PDSM基于RθJAT≤10s值，最大允许结温为150°C。任何给定的价值

应用程序取决于用户的特定电路板设计。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，采用结壳热阻，在设置上部时更有用

在使用额外散热的情况下，散热极限。

C.重复额定值，脉宽由结温TJ（MAX）= 150°C限制。额定值基于低频率和占空比来保持

初始TJ = 25℃。

D.RθJA是从结到外壳RθJC和外壳到环境的热阻抗之和。

E.图1至6中的静态特性是使用<300μs脉冲，占空比最大0.5％获得的。

F.这些曲线基于结到壳体的热阻抗，假设使用安装在大型散热器上的器件测量

最高结温TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲线提供单个脉冲评级。

G.最大额定电流是封装有限的。

H.这些测试是在装有1英寸2 FR-4板和2盎司的设备上进行的。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。

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★经营范围：

MOSFET（场效应管），二三极管，触摸IC，电源IC，ESD静电二极管，放大器，逻辑，能源管理，音频，传感器，功率半导体等！ ★应用产品：电源控制，锂电池保护，LED/液晶/显示器，笔记本/平板电脑，航模/电动玩具，电子书，智能家具，卫星导航仪等等!