手机扫码查看 移动端的落地页
深圳友尚存储科技有限公司
主营产品: DRAM动态随机存储, SRAM静态随机存储, NAND闪存, NOR闪存, eMCP嵌入式存储, eMMC嵌入式存储, FRAM铁电存储, FLASH闪存, MRAM磁性随机存储
H5TQ4G83DFR-RDC-SKhynix原装DDR3-现货供应
价格
订货量(片)
¥14.00
≥10
店铺主推品 热销潜力款
萦萫萫萦萪萤萨萪营萬萨
在线客服
详细说明(以下型号信息仅供参考,详细请联系我司销售代表)
H5TQ4G83DFR-RDC SKhynix(海力士)DDR3存储芯片 原厂原装
生产商:SKhynix(海力士)
产品类别:集成电路-存储器
系列:-
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3
存储容量:4Gb
存储接口:并联
SPEED(速度):-
时钟频率:533MHz
写入时间:-
访问时间:-
电压-电源:1.425V~1.575V
工作温度:0°C ~ 95°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-78
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:SKhynix(海力士)的DDR3存储芯片主要应用于服务器,智能电视,视频监控,汽车电子,物联网设备,网络机顶盒,通信设备,平板电脑等消费类以及工业类电子设备,是全球第二大DRAM产品供应商。我司供应的产品包含SKhynix(海力士)的DRAM,NAND闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
DDR3
DDR3内存采用了ODT(核心整合终结器)技术以及用于优化性能的EMRS技术,同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面,DDR3表现出很强的独立性,甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式,采用更为先进的FBGA封装。DDR III内存用了0.08微米制造工艺制造,将工作在1.5V的电压下在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。