详细说明（以下型号信息仅供参考，详细请联系我司销售代表）

H5TQ4G83CFR-RDC SKhynix（海力士）DDR3存储芯片 原厂原装

生产商：SKhynix（海力士）

产品类别：集成电路-存储器

系列：-

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR3

存储容量：4Gb

存储接口：并联

SPEED(速度)：-

时钟频率：533MHz

写入时间：-

访问时间：-

电压-电源：1.425V~1.575V

工作温度：0°C ~ 95°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-78

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：SKhynix（海力士）的DDR3存储芯片主要应用于服务器，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备，是全球第二大DRAM产品供应商。我司供应的产品包含SKhynix（海力士）的DRAM,NAND闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

DDR3

DDR3内存在技术上是非常类似于DDR2，尽管DDR3内存仍然是采用基本运作时脉最高达200MHz及双倍数据传输率（Double data rate）的技术－这个数据传输率是采用时脉讯号的上下缘－不过DDR3内存的Prefetch已经被放宽到8位。这与DDR2（4位的Prefetch）相比，就会导致一个两倍的接口传输速率，而与DDR1（2位的Prefetch）相比，则会有四倍的效能表现。因此，虽然DDR3内存设定的标准时脉速度是从DDR3-800到DDR3-1600，不过内存在DDR3-1600的实际运作时脉仍然是200MHz。DDR3内存本身最重要的差异，就是现在运行的标准电压是1.5伏特，而不是DDR2的1.8伏特。

价格说明

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