规格 AO8814

FET类型2 N沟道（双）共漏

FET功能逻辑电平门

漏源电压（VDSS）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C时） -

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）16毫欧@ 7.5A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）1V @250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）15.4nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）1390pF @ 10V

功率 - 最大值1.5W

工作温度-55°C~150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）

一般说明

AO8814采用先进的沟槽技术

提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和

栅极电压低至1.8V时的操作

保持12V VGS（MAX）额定值。它受到ESD保护。

该设备适合用作单向或

双向负载开关，由其通信辅助

组态。

特征 AO8814

VDS（V）= 20V

ID = 7.5 A（VGS = 10V）

RDS（ON）<16mΩ（VGS = 10V）

RDS（ON）<18mΩ（VGS = 4.5V）

RDS（ON）<20mΩ（VGS = 3.6V）

RDS（ON）<24mΩ（VGS = 2.5V）

RDS（ON）<34mΩ（VGS = 1.8V）

ESD额定值：2500V HBM

答：RθJA的值是通过安装在1英寸2 FR-4板上的装置测量的，其中2盎司。铜，在静止空气环境中，T A = 25°C。

任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。电流额定值基于t≤10s的热量

阻力等级。

B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。

D.使用<300μs脉冲，占空比最大0.5％获得图1至6,12,14中的静态特性。

E.这些测试是在装有1英寸2 FR-4板和2盎司的装置上进行的。铜，在静止空气环境中，T A = 25°C。该

SOA曲线提供单脉冲评级。

AO8814