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深圳市宏源世纪科技有限公司
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AO3423-20V-2A-SOT23
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一般说明
AO3423采用先进的沟槽技术提供
出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极操作
电压低至2.5V。该设备适合用作
负载开关应用。
产品摘要AO3423
VDS -20V
ID(VGS = -10V)-2A
RDS(ON)(VGS = -10V)<92mΩ
RDS(ON)(VGS = -4.5V)<118mΩ
RDS(ON)(VGS = -2.5V)<166mΩ
典型的ESD保护HBM Class 2
AO3423
A.使用安装在1in2 FR-4板上的器件和2oz测量RθJA的值。铜,在TA = 25°C的静止空气环境中。该
任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。
B.功耗PD基于TJ(MAX)= 150°C,使用≤10s结至环境热阻。
C.重复额定值,脉冲宽度受结温TJ(MAX)= 150°C的限制。额定值基于低频率和占空比来保持
initialTJ = 25°C。
D.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。
E.使用<300μs脉冲,占空比最大0.5%获得图1至图6中的静态特性。
F.这些曲线基于结至环境的热阻抗,该阻抗是通过安装在1in2 FR-4板上的器件测得的。
2盎司铜,假设最高结温TJ(MAX)= 150°C。 SOA曲线提供单脉冲额定值。
AO3423
规格FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)92 毫欧 @ 2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6.6nC @ 4.5VVgs(最大值)±12V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)620pF @ 10VFET 功能-功率耗散(最大值)1.4W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3L